参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | TSM1N45CT B0G |
说明 | 未分类 TO-92 TO-226-3,TO-92-3标准主体(!--TO-226AA) |
起订量 | 1 |
最小包 | 1 |
现货 | 432 [库存更新时间:2025-04-11] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 450V |
连续漏极电流Id | 500mA(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.25V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.5nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
栅极电压Vgs | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 235pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V |
功率 | 2W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.25 欧姆 @ 250mA,10V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-92 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |